电子产品的先进制造业的快速发展方向为高精度（纳米级的控制精度，亚纳米级的加工精度）、高性能（T级的储存量和CPU主频）、高集成度（纳米级的线宽）以及可靠性（小于1/109的千小时失效率），因此，对加工工件表面的局部平整度和整体平整度都提出了前所未有的高要求（要求达到亚纳米量级的表面粗糙度），同时对超精密加工技术的水平提出了严峻的挑战。

表面平整化加工的重要手段是抛光，常见的抛光技术如机械抛光、化学抛光、磁研磨抛光、流体抛光、电化学抛光、离子束轰击抛光、浮法抛光等，均属于局部平坦化技术，且平坦化能力从几微米到几十微米不等，但是国际上普遍认为，加工工件特征尺寸在0.35μm以下时，必须进行全局平坦化，而目前唯一可以提供整体平面化的表面精加工技术就是超精密化学机械抛光技术（CMP）。

例如在硅晶片的加工过程中，晶片通过吸附作用固定在与其同方向旋转的抛光垫上，抛光浆料通过蠕动泵不断的流到抛光垫上，使之在晶片和抛光垫之间持续流动，晶片表面与抛光浆料发生反应，通过抛光头的高速运动使反应物不断去除，达到使晶片表面平整、光洁度高的作用。

化学机械抛光技术是化学作用和机械作用相结合的技术，实际上其微观过程相当复杂，影响因素也很多。CMP设备、抛光液、抛光垫、后清洗设备、抛光终点检测设备等等都对晶片的抛光速率和抛光质量产生重要影响。其中抛光液既影响CMP化学作用过程，又影响CMP机械作用过程，是影响CMP质量的决定性因素之一。

目前国内外常用的抛光液有SiO2胶体（硅溶胶）抛光液、二氧化铈抛光液、氧化铝抛光液、金刚石抛光液等。